鹵化物鈣鈦礦被認(rèn)為是用于直接X(jué)射線探測(cè)器的極具前景的光電子材料，但要實(shí)現(xiàn)大面積平板成像，需要解決鈣鈦礦和讀出電路板之間的電子、表面和機(jī)械性能的兼容性問(wèn)題。鑒于此，2024年9月30日北京大學(xué)深圳研究生院王新煒&楊世和于AFM刊發(fā)晶體取向控制增強(qiáng)鈣鈦礦與大面積讀出板的附著力，實(shí)現(xiàn)高性能X射線成像的研究成果，選擇低維MA3Bi2I9鈣鈦礦，通過(guò)利用鈣鈦礦薄膜生長(zhǎng)的取向控制策略，在兩者之間實(shí)現(xiàn)良好的平衡。取向控制生長(zhǎng)最顯著的結(jié)果是厚鈣鈦礦薄膜在大面積電子板上具有出色的附著力，并有效解決了電荷共享效應(yīng)，而這一直很難實(shí)現(xiàn)。最終的探測(cè)器的X射線成像面積為2.8×3.2 cm²，空間分辨率為4.0 lp mm?1，這是基于TFT背板的多晶鈣鈦礦探測(cè)器迄今為止達(dá)到的最高分辨率，靈敏度為588 μC Gy_air^?1cm^?2，同時(shí)保持暗電流低于10 nA cm^-2，這也是迄今為止多晶零維鈣鈦礦探測(cè)器的最高值。該裝置清晰地揭示了生物標(biāo)本和工業(yè)產(chǎn)品復(fù)雜的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。這一結(jié)果展示了零維鈣鈦礦在X射線平面成像中的潛力，并強(qiáng)調(diào)了取向控制策略的關(guān)鍵作用。