鈣鈦礦太陽能電池的開路電壓受到鈣鈦礦/載流子傳輸層 (CTL) 界面處的非輻射復合的限制。二維鈣鈦礦后處理提供了一種鈍化頂部界面的方法；而鈍化鈣鈦礦薄膜下方的埋底界面需要新的材料合成策略。鑒于此，2021年8月23日加拿大多倫多大學Sargent團隊于AM刊發(fā)通過傳輸層上二維鈣鈦礦的優(yōu)先結晶鈍化埋底界面的研究成果。據(jù)推測，鈣鈦礦油墨含有與基材強烈結合的物質，可以自發(fā)地與底部傳輸層形成鈍化層。實現(xiàn)了使用具有豐富-NH2基團的有機間隔陽離子的概念，其中容易獲得的氫對金屬氧化物襯底表面上的配位不足的氧具有很大的結合親和力，從而導致在埋底界面處的薄 2D 層的優(yōu)先結晶。使用穩(wěn)態(tài)和時間分辨光致發(fā)光光譜檢查該 2D 層的鈍化效應：2D 夾層抑制埋入鈣鈦礦/CTL 界面處的非輻射復合，導致表面復合速度降低 72%。這種策略使基于 NiOx 的 p–i–n 器件的 Voc 增加 65 mV，并使基于 SnO2 的 n–i–p 器件的 Voc 增加 100 mV。帶隙為1.70 eV鈣鈦礦的反式器件具有高達20.1%的效率，帶隙為1.55 eV鈣鈦礦的反式器件功具有高達22.9%的效率。